我应该怎么做LatticeECP3 DDR3内存接口VTT终端?

LatticeECP3 DDR3只能使用外部VTT端接。
不建议使用LatticeECP3的内部片上终端(ODT)。
根据莱迪思工厂测试的眼图和仿真结果,推荐的外部电阻值为100-120欧姆。鼓励电路板设计人员在可能的情况下执行信号完整性仿真,以获得其环境中的最佳电阻值。。以下是LatticeECP3 DDR3外部VTT终端的一般终止指南: 。1.放置任何外部分立电阻器或电阻器组件(RPACKS)至关重要,必须放置在LatticeECP3球的0.6英寸范围内。 。2.由于更好的布线和密度问题,建议将64欧姆BGA RPACKS(CTS RT2432B7型)用于64位和32位接口。。每个RPACK包含18个电阻,采用非常小的BGA封装。。请注意,此封装类型仅提供120,75和50欧姆值。(http://www.ctscorp.com/components/Datasheets/ClearOneDDRSDRAMK.pdf)3。4x1 RPACKS(CTS 741X083101JP型)也可用于。在没有路由/密度问题的情况下需要100欧姆值的情况。 。(http://www.ctscorp.com/components/Datasheets/CTSChipArrayDs.pdf)
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提问于 2018-07-27 12:14:51 +0800

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