13.4位置 - 错误:位置:864 - 不兼容的IOB锁定在同一个库中

描述

在同一个bank中使用LVCMOS33输出和LVDS_25输入时,我收到以下错误:


错误:布局:864 - 不兼容的IOB被锁定在同一个Bank13

冲突的IO标准是:

IO标准1:名称= LVDS_25,VREF = NR,VCCO = 2.50,TERM = NONE,DIR =

INPUT,DRIVE_STR = NR

锁定的IOB列表:

clktestn

clktestp

IO标准2:名称= LVCMOS33,VREF = NR,VCCO = 3.30,TERM = NONE,DIR =

OUTPUT,DRIVE_STR = 12

锁定的IOB列表:

dataout_test

由于VCCO不匹配,这些IO标准不兼容。这种不匹配可以

对于锁定到Bank的某些IO,设置DIFF_TERM = TRUE会导致此错误

阶段2.7设计可行性检查(校验和:266480e0)实时:40秒

完成Placer完成的总实时:40秒

Placer完成的总CPU时间:39秒

错误:包装:1654 - 时序驱动的放置阶段遇到错误。

DIFF_TERM仅适用于输入,只能与适当的VCCO电压一起使用。

对于LVDS_25,如果使用DIFF_TERM,VCCO必须为2.5V。

要解决此问题,请将LVDS_25输入的DIFF_TERM设置为FALSE或将VCCO更改为2.5V。

LVCMOS33不能使用。
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提问于 2018-07-31 15:01:45 +0800

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