13.4位置 - 错误：位置：864 - 不兼容的IOB锁定在同一个库中

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描述

在同一个bank中使用LVCMOS33输出和LVDS_25输入时，我收到以下错误：

错误：布局：864 - 不兼容的IOB被锁定在同一个Bank13

冲突的IO标准是：

IO标准1：名称= LVDS_25，VREF = NR，VCCO = 2.50，TERM = NONE，DIR =

INPUT，DRIVE_STR = NR

锁定的IOB列表：

clktestn

clktestp

IO标准2：名称= LVCMOS33，VREF = NR，VCCO = 3.30，TERM = NONE，DIR =

OUTPUT，DRIVE_STR = 12

锁定的IOB列表：

dataout_test

由于VCCO不匹配，这些IO标准不兼容。这种不匹配可以

对于锁定到Bank的某些IO，设置DIFF_TERM = TRUE会导致此错误

阶段2.7设计可行性检查（校验和：266480e0）实时：40秒

完成Placer完成的总实时：40秒

Placer完成的总CPU时间：39秒

错误：包装：1654 - 时序驱动的放置阶段遇到错误。

解

DIFF_TERM仅适用于输入，只能与适当的VCCO电压一起使用。

对于LVDS_25，如果使用DIFF_TERM，VCCO必须为2.5V。

要解决此问题，请将LVDS_25输入的DIFF_TERM设置为FALSE或将VCCO更改为2.5V。

LVCMOS33不能使用。